JSM7788 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JSM7788
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de JSM7788 MOSFET
JSM7788 Datasheet (PDF)
jsm7788.pdf
JSM7788N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30V N-Channel MOSFETDFN 3x3_EPPRODUCT SUMMARYTop View Bottom ViewVDS30V40A ID (at VGS=10V)
Otros transistores... JSM3622 , JSM36326 , JSM6435 , JSM6764 , JSM7240 , JSM7409 , JSM7409B , JSM7410 , 8205A , KCY3008A , KCY3310A , KNY3403B , LSGNE03R098WB , MCAC10H03-TP , MCAC16N03-TP , MCAC30N06Y-TP , MCAC40N10YA-TP .
History: MS6N90 | RJK0358DSP | BSZ146N10LS5 | AP03N70J-HF
History: MS6N90 | RJK0358DSP | BSZ146N10LS5 | AP03N70J-HF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
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