JSM7788 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JSM7788
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3-8L
Аналог (замена) для JSM7788
JSM7788 Datasheet (PDF)
jsm7788.pdf
JSM7788N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 30V N-Channel MOSFETDFN 3x3_EPPRODUCT SUMMARYTop View Bottom ViewVDS30V40A ID (at VGS=10V)
Другие MOSFET... JSM3622 , JSM36326 , JSM6435 , JSM6764 , JSM7240 , JSM7409 , JSM7409B , JSM7410 , 8205A , KCY3008A , KCY3310A , KNY3403B , LSGNE03R098WB , MCAC10H03-TP , MCAC16N03-TP , MCAC30N06Y-TP , MCAC40N10YA-TP .
History: WMN25N80M3 | 2N65L-TMA-T | ME4946-G | 2N65G-TMA-T | 2SK2100-01MR | RJK0362DSP
History: WMN25N80M3 | 2N65L-TMA-T | ME4946-G | 2N65G-TMA-T | 2SK2100-01MR | RJK0362DSP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324


