MSK7804 Todos los transistores

 

MSK7804 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK7804
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
 

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MSK7804 Datasheet (PDF)

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MSK7804

www.msksemi.comMSK7804SemiconductorCompianceDescriptionD1 D1 D2 D2The MSK7804 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buckconverter applications.S1 G1 S2 G2The MSK7804 meet the RoHS and Green Productrequirement 100% EAS guaranteed with fullfunction reliability approved. DFN3X3-8LProduct

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History: VSP1R4N04HS-G | SI7476DP | MSK50N03DF

 

 
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