MSK7804 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSK7804
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 18 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 9.63 nC
   Tiempo de subida (tr): 8.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 131 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L

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MSK7804 Datasheet (PDF)

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msk7804.pdf

www.msksemi.comMSK7804SemiconductorCompianceDescriptionD1 D1 D2 D2The MSK7804 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buckconverter applications.S1 G1 S2 G2The MSK7804 meet the RoHS and Green Productrequirement 100% EAS guaranteed with fullfunction reliability approved. DFN3X3-8LProduct

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