Справочник MOSFET. MSK7804

 

MSK7804 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK7804
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для MSK7804

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK7804 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  1
 msk7804.pdf pdf_icon

MSK7804

www.msksemi.comMSK7804SemiconductorCompianceDescriptionD1 D1 D2 D2The MSK7804 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge for most of the synchronous buckconverter applications.S1 G1 S2 G2The MSK7804 meet the RoHS and Green Productrequirement 100% EAS guaranteed with fullfunction reliability approved. DFN3X3-8LProduct

Другие MOSFET... MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , IRFP450 , MSK80N03NF , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G , NTMFD5C470NLT1G , NTMFD5C650NLT1G , NTMFD5C674NLT1G , NTMFD6H840NLT1G .

History: CS4N65A3HD | DAMH160N200 | SPP77N05 | HY150N075T

 

 
Back to Top

 


 
.