MSK80N03NF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSK80N03NF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Encapsulados: DFN5X6-8L
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MSK80N03NF datasheet
msk80n03nf.pdf
www.msksemi.com MSK80N03NF Semiconductor Compiance Description The uses advanced trench technology MSK80N03NF and design to provide excellent RDS(ON) with low D D D D gatecharge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS=30V,ID=80A S S S G RDS(ON)
Otros transistores... MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , AON7506 , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G , NTMFD5C470NLT1G , NTMFD5C650NLT1G , NTMFD5C674NLT1G , NTMFD6H840NLT1G , NTMFD6H846NLT1G .
History: TPCA8019-H
History: TPCA8019-H
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