MSK80N03NF Todos los transistores

 

MSK80N03NF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK80N03NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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MSK80N03NF Datasheet (PDF)

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MSK80N03NF

www.msksemi.comMSK80N03NFSemiconductorCompianceDescriptionThe uses advanced trench technologyMSK80N03NFand design to provide excellent RDS(ON) with low D D D Dgatecharge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesVDS=30V,ID=80AS S S GRDS(ON)

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History: IRLR3715ZPBF | ME50P06 | AP4409AGM-HF | LNG05R100 | RDR005N25 | JCS10N65FT

 

 
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