Справочник MOSFET. MSK80N03NF

 

MSK80N03NF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK80N03NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для MSK80N03NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK80N03NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  1
 msk80n03nf.pdf pdf_icon

MSK80N03NF

www.msksemi.comMSK80N03NFSemiconductorCompianceDescriptionThe uses advanced trench technologyMSK80N03NFand design to provide excellent RDS(ON) with low D D D Dgatecharge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesVDS=30V,ID=80AS S S GRDS(ON)

Другие MOSFET... MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , IRFP250 , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G , NTMFD5C470NLT1G , NTMFD5C650NLT1G , NTMFD5C674NLT1G , NTMFD6H840NLT1G , NTMFD6H846NLT1G .

History: AP75T10GP | PM516BZ | P5015BD

 

 
Back to Top

 


 
.