MSK80N03NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MSK80N03NF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8L
Аналог (замена) для MSK80N03NF
MSK80N03NF Datasheet (PDF)
msk80n03nf.pdf

www.msksemi.comMSK80N03NFSemiconductorCompianceDescriptionThe uses advanced trench technologyMSK80N03NFand design to provide excellent RDS(ON) with low D D D Dgatecharge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesVDS=30V,ID=80AS S S GRDS(ON)
Другие MOSFET... MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , 2N7002 , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G , NTMFD5C470NLT1G , NTMFD5C650NLT1G , NTMFD5C674NLT1G , NTMFD6H840NLT1G , NTMFD6H846NLT1G .
History: 4N60G-TF1-T | FQB1P50 | WMK22N50C4 | R6030ENZ1 | AP9962AGM | BSC026N08NS5 | SM6A12NSFP
History: 4N60G-TF1-T | FQB1P50 | WMK22N50C4 | R6030ENZ1 | AP9962AGM | BSC026N08NS5 | SM6A12NSFP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet