MSK80N03NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MSK80N03NF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8L
Аналог (замена) для MSK80N03NF
MSK80N03NF Datasheet (PDF)
msk80n03nf.pdf
www.msksemi.comMSK80N03NFSemiconductorCompianceDescriptionThe uses advanced trench technologyMSK80N03NFand design to provide excellent RDS(ON) with low D D D Dgatecharge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesVDS=30V,ID=80AS S S GRDS(ON)
Другие MOSFET... MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , AON7506 , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G , NTMFD5C470NLT1G , NTMFD5C650NLT1G , NTMFD5C674NLT1G , NTMFD6H840NLT1G , NTMFD6H846NLT1G .
History: R6020ENZ1
History: R6020ENZ1
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet


