NTMFS1D7N03CGT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTMFS1D7N03CGT1G
   Código: 1D7NG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1770 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00174 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMFS1D7N03CGT1G

NTMFS1D7N03CGT1G Datasheet (PDF)

0.1. Size:176K 1
ntmfs1d7n03cgt1g.pdf

MOSFET - Power, SingleN-Channel, SO8-FL30 V, 1.74 mW, 170 ANTMFS1D7N03CGFeatures Wide SOA to Improve Inrush Current Managementwww.onsemi.com Advanced Package (5x6 mm) with Excellent Thermal Conduction Ultra Low RDS(on) to Improve System Efficiency These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXCompliant30 V 1.74 mW @ 1

7.1. Size:177K 1
ntmfs1d15n03cgt1g.pdf

MOSFET - Power, SingleN-Channel, SO8-FL30 V, 1.15 mW, 245 ANTMFS1D15N03CGFeatures Advanced Package (5x6 mm) with Excellent Thermal Conductionwww.onsemi.com Ultra Low RDS(on) to Improve System Efficiency These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXTypical Applications30 V 1.15 mW @ 10 V 245 A Hot Swap Application Power Load

7.2. Size:177K onsemi
ntmfs1d15n03cg.pdf

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Liste

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