NTMFS5C430NLT1G Todos los transistores

 

NTMFS5C430NLT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTMFS5C430NLT1G
   Código: 5C430L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5
 

 Búsqueda de reemplazo de NTMFS5C430NLT1G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NTMFS5C430NLT1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:77K  1
ntmfs5c430nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFS5C430NLT1G

NTMFS5C430NLPower MOSFET40 V, 1.4 mW, 200 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)1.4 mW @ 10 V40

 1.1. Size:174K  1
ntmfs5c430nlt3g.pdf pdf_icon

NTMFS5C430NLT1G

NTMFS5C430NLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 1.4 mW, 200 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.4 mW @ 10 V40 V200 A2.2 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ =

 2.1. Size:174K  onsemi
ntmfs5c430nl.pdf pdf_icon

NTMFS5C430NLT1G

NTMFS5C430NLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 1.4 mW, 200 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.4 mW @ 10 V40 V200 A2.2 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ =

Otros transistores... NTMFS5C404NLTT1G , NTMFS5C404NT3G , NTMFS5C406NLT1G , NTMFS5C406NT1G , NTMFS5C410NT3G , NTMFS5C423NLT1G , NTMFS5C426NLT1G , NTMFS5C426NT1G , NCEP15T14 , NTMFS5C430NLT3G , NTMFS5C442NLT1G , NTMFS5C442NT3G , NTMFS5C450NLT3G , NTMFS5C450NT3G , NTMFS5C456NLT3G , NTMFS5C460NLT3G , NTMFS5C468NLT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.