NTMFS5C430NLT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTMFS5C430NLT1G
   Código: 5C430L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 200 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 70 nC
   Tiempo de subida (tr): 140 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1900 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMFS5C430NLT1G

NTMFS5C430NLT1G Datasheet (PDF)

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ntmfs5c430nlt1g.pdf

NTMFS5C430NLPower MOSFET40 V, 1.4 mW, 200 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)1.4 mW @ 10 V40

1.1. Size:174K 1
ntmfs5c430nlt3g.pdf

NTMFS5C430NLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 1.4 mW, 200 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.4 mW @ 10 V40 V200 A2.2 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (TJ =

2.1. Size:174K onsemi
ntmfs5c430nl.pdf

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