STM4550 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STM4550
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STM4550
STM4550 Datasheet (PDF)
stm4550.pdf
GreenProductSTM4550SamHop Microelectronics Corp.Oct 14 2009 Ver1.0N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPRODUCT SUMMARY FEATURESSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxRugged and reliable.60 @ VGS = 10V60V 5ASurface Mount Package.75 @ VGS = 4.5VSO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted)Limit Un
stm4532.pdf
GreenProductS TM4532S amHop Microelectronics C orp.Mar.30, 2005 Ver1.1Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PPR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel)VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max MaxVDS S ID R DS (ON) ( m )40@ VG S = 10V 55@ VG S = -10V5.5A -30V -4.5A30V50@ VG S = 4.5V 85@ VG S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O
Otros transistores... FDP060AN08A0 , FDP075N15AF102 , FDP083N15AF102 , FDP085N10AF102 , STM4615 , FDP090N10 , STM4605 , FDP100N10 , IRF730 , FDP10N60NZ , STM4532 , FDP120N10 , STM4470E , FDP12N50 , FDP12N50NZ , FDP12N60NZ , STM4470A .
