STM4550 Todos los transistores

 

STM4550 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STM4550
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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STM4550 Datasheet (PDF)

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STM4550

GreenProductSTM4550SamHop Microelectronics Corp.Oct 14 2009 Ver1.0N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPRODUCT SUMMARY FEATURESSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxRugged and reliable.60 @ VGS = 10V60V 5ASurface Mount Package.75 @ VGS = 4.5VSO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted)Limit Un

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STM4550

GreenProductS TM4532S amHop Microelectronics C orp.Mar.30, 2005 Ver1.1Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PPR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel)VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max MaxVDS S ID R DS (ON) ( m )40@ VG S = 10V 55@ VG S = -10V5.5A -30V -4.5A30V50@ VG S = 4.5V 85@ VG S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O

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