STM4550 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STM4550
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для STM4550
STM4550 Datasheet (PDF)
stm4550.pdf
GreenProductSTM4550SamHop Microelectronics Corp.Oct 14 2009 Ver1.0N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPRODUCT SUMMARY FEATURESSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxRugged and reliable.60 @ VGS = 10V60V 5ASurface Mount Package.75 @ VGS = 4.5VSO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted)Limit Un
stm4532.pdf
GreenProductS TM4532S amHop Microelectronics C orp.Mar.30, 2005 Ver1.1Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PPR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel)VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max MaxVDS S ID R DS (ON) ( m )40@ VG S = 10V 55@ VG S = -10V5.5A -30V -4.5A30V50@ VG S = 4.5V 85@ VG S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O
Другие MOSFET... FDP060AN08A0 , FDP075N15AF102 , FDP083N15AF102 , FDP085N10AF102 , STM4615 , FDP090N10 , STM4605 , FDP100N10 , IRF730 , FDP10N60NZ , STM4532 , FDP120N10 , STM4470E , FDP12N50 , FDP12N50NZ , FDP12N60NZ , STM4470A .
History: SP3901 | MMFTN3019E | SWHA088R06VT | IRF7343 | TPCA8123 | AP2306AGN | SVS20N60KD2
History: SP3901 | MMFTN3019E | SWHA088R06VT | IRF7343 | TPCA8123 | AP2306AGN | SVS20N60KD2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210



