NTMFS5C612NLT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTMFS5C612NLT1G
   Código: 5C612L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 167 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 235 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 91 nC
   Tiempo de subida (tr): 51 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2953 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMFS5C612NLT1G

NTMFS5C612NLT1G Datasheet (PDF)

0.1. Size:73K 1
ntmfs5c612nlt1g.pdf

NTMFS5C612NLPower MOSFET60 V, 1.5 mW, 235 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NTMFS5C612NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspectionV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compl

2.1. Size:73K onsemi
ntmfs5c612nl.pdf

3.1. Size:175K 1
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MOSFET Power, Single,N-Channel60 V, 1.6 mW, 230 ANTMFS5C612NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX60 V 1.6 mW @ 10 V 230 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherw

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