NVMFD024N06CT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVMFD024N06CT1G
   Código: 24DN6C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 28 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 24 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.7 nC
   Tiempo de subida (tr): 1.3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 225 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0226 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8-5X6

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NVMFD024N06CT1G Datasheet (PDF)

0.1. Size:229K 1
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MOSFET Power, DualN-Channel, SO-8FL60 V, 22.6 mW, 24 ANVMFD024N06CFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFWD024N06C - Wettable Flank Option for Enhanced Optical60 V 22.6 mW @ 10 V 24 AInspection AEC-Q101

2.1. Size:229K onsemi
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7.1. Size:224K onsemi
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MOSFET - Power, DualN-Channel, DUAL SO8FL60 V, 20.3 mW, 27 ANVMFD020N06CFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFWD020N06C - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspection60 V 20.3 mW @ 10 V 27 A AEC-Q1

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History: P1504HV

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: