NVMFD024N06CT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVMFD024N06CT1G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0226 Ohm

Encapsulados: DFN8-5X6

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NVMFD024N06CT1G datasheet

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NVMFD024N06CT1G

MOSFET Power, Dual N-Channel, SO-8FL 60 V, 22.6 mW, 24 A NVMFD024N06C Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFWD024N06C - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 60 V 22.6 mW @ 10 V 24 A Inspection AEC-Q101

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NVMFD024N06CT1G

MOSFET Power, Dual N-Channel, SO-8FL 60 V, 22.6 mW, 24 A NVMFD024N06C Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFWD024N06C - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 60 V 22.6 mW @ 10 V 24 A Inspection AEC-Q101

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NVMFD024N06CT1G

MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 20.3 mW, 27 A NVMFD020N06C Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFWD020N06C - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection 60 V 20.3 mW @ 10 V 27 A AEC-Q1

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