NVMFD024N06CT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVMFD024N06CT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 1.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0226 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8-5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVMFD024N06CT1G

NVMFD024N06CT1G Datasheet (PDF)

0.1. Size:229K 1
nvmfd024n06ct1g.pdf

MOSFET Power, DualN-Channel, SO-8FL60 V, 22.6 mW, 24 ANVMFD024N06CFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designwww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFWD024N06C - Wettable Flank Option for Enhanced Optical60 V 22.6 mW @ 10 V 24 AInspection AEC-Q101

2.1. Size:229K onsemi
nvmfd024n06c.pdf

7.1. Size:224K onsemi
nvmfd020n06c.pdf

MOSFET - Power, DualN-Channel, DUAL SO8FL60 V, 20.3 mW, 27 ANVMFD020N06CFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFWD020N06C - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspection60 V 20.3 mW @ 10 V 27 A AEC-Q1

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History: CEB07N65A | CPH3430

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: