NVMFD5483NLT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVMFD5483NLT1G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: DFN8-5X6

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de NVMFD5483NLT1G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NVMFD5483NLT1G datasheet

 ..1. Size:200K  1
 nvmfd5483nlt1g.pdf pdf_icon

NVMFD5483NLT1G

NVMFD5483NL MOSFET Power, Dual N-Channel 60 V, 36 mW, 24 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses 36 mW @ 10 V 175 C Operating Temperature 60 V 24 A NVMFD5483NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 45 mW @ 4

 3.1. Size:76K  onsemi
 nvmfd5483nl.pdf pdf_icon

NVMFD5483NLT1G

 6.1. Size:840K  1
 nvmfd5485nlt1g.pdf pdf_icon

NVMFD5483NLT1G

 6.2. Size:76K  onsemi
 nvmfd5485nl.pdf pdf_icon

NVMFD5483NLT1G

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... NTMFS6H836NLT1G, NTMFS6H848NLT1G, NTMFS6H852NLT1G, NTTFS4C05NTAG, NTTFS4C10NTAG, NTTFS4C25NTAG, NTTFS5C454NLTAG, NVMFD024N06CT1G, IRF3710, NVMFD5485NLT1G, PE5E4BA, PK6A4BA, PKC26BB, SCDP120R040NP4B, STS65R190FS2, STS65R190L8AS2TR, STS65R190SS2