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NVMFD5483NLT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVMFD5483NLT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8-5X6
 

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NVMFD5483NLT1G Datasheet (PDF)

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NVMFD5483NLT1G

NVMFD5483NLMOSFET Power, DualN-Channel60 V, 36 mW, 24 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses36 mW @ 10 V 175C Operating Temperature60 V 24 A NVMFD5483NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 45 mW @ 4

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NVMFD5483NLT1G

NVMFD5483NLPower MOSFET60 V, 36 mW, 24 A, Dual N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses 175C Operating TemperatureV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5483NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical36 mW @ 10 VInspection60 V 24 A

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NVMFD5483NLT1G

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NVMFD5483NLT1G

NVMFD5485NLPower MOSFET60 V, 44 mW, 20 A, Dual N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses 175C Operating TemperatureV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5485NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical44 mW @ 10 VInspection60 V 20 A

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History: NVMFD024N06CT1G | IPI120N08S4-03 | IRF9389PBF | CS3410B4 | IRF540ZP | IPI60R199CP | OSG70R750DF

 

 
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