Справочник MOSFET. NVMFD5483NLT1G

 

NVMFD5483NLT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVMFD5483NLT1G
   Маркировка: 5483NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: DFN8-5X6

 Аналог (замена) для NVMFD5483NLT1G

 

 

NVMFD5483NLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  1
 nvmfd5483nlt1g.pdf

NVMFD5483NLT1G NVMFD5483NLT1G

NVMFD5483NLMOSFET Power, DualN-Channel60 V, 36 mW, 24 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses36 mW @ 10 V 175C Operating Temperature60 V 24 A NVMFD5483NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 45 mW @ 4

 3.1. Size:76K  onsemi
 nvmfd5483nl.pdf

NVMFD5483NLT1G NVMFD5483NLT1G

NVMFD5483NLPower MOSFET60 V, 36 mW, 24 A, Dual N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses 175C Operating TemperatureV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5483NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical36 mW @ 10 VInspection60 V 24 A

 6.1. Size:840K  1
 nvmfd5485nlt1g.pdf

NVMFD5483NLT1G NVMFD5483NLT1G

 6.2. Size:76K  onsemi
 nvmfd5485nl.pdf

NVMFD5483NLT1G NVMFD5483NLT1G

NVMFD5485NLPower MOSFET60 V, 44 mW, 20 A, Dual N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses 175C Operating TemperatureV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5485NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical44 mW @ 10 VInspection60 V 20 A

 6.3. Size:77K  onsemi
 nvmfd5489nl.pdf

NVMFD5483NLT1G NVMFD5483NLT1G

NVMFD5489NLPower MOSFET60 V, 65 mW, 12 A, Dual N-Ch Logic LevelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses 175C Operating TemperatureV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5489NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical65 mW @ 10 VInspection60 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top