NVMFD5485NLT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVMFD5485NLT1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
Encapsulados: DFN8-5X6
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NVMFD5485NLT1G datasheet
nvmfd5483nlt1g.pdf
NVMFD5483NL MOSFET Power, Dual N-Channel 60 V, 36 mW, 24 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses 36 mW @ 10 V 175 C Operating Temperature 60 V 24 A NVMFD5483NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 45 mW @ 4
Otros transistores... NTMFS6H848NLT1G , NTMFS6H852NLT1G , NTTFS4C05NTAG , NTTFS4C10NTAG , NTTFS4C25NTAG , NTTFS5C454NLTAG , NVMFD024N06CT1G , NVMFD5483NLT1G , AON6414A , PE5E4BA , PK6A4BA , PKC26BB , SCDP120R040NP4B , STS65R190FS2 , STS65R190L8AS2TR , STS65R190SS2 , STS65R190SS2TR .
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