STS65R190SS2TR Todos los transistores

 

STS65R190SS2TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS65R190SS2TR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 169 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TO263

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STS65R190SS2TR datasheet

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STS65R190SS2TR

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STS65R190SS2TR

STS65R280D(F)S2 14A 650V MOS 2 STS65R280D(F)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R280D(F)S2 / 3

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STS65R190SS2TR

STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 8A, 650V MOS 2 STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 N MOSFET MOS 1 1 3 STS65R580D(F)(S)(MJ)S2

Otros transistores... NVMFD5485NLT1G , PE5E4BA , PK6A4BA , PKC26BB , SCDP120R040NP4B , STS65R190FS2 , STS65R190L8AS2TR , STS65R190SS2 , IRF9540 , STS65R190TS2 , STS65R280DS2TR , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR , STS65R580FS2 , STS65R580MJS2 , STS65R580SS2 , STS65R580SS2TR .

 

 

 

 

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