STS65R580MJS2 Todos los transistores

 

STS65R580MJS2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS65R580MJS2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm

Encapsulados: TO251

 Búsqueda de reemplazo de STS65R580MJS2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STS65R580MJS2 datasheet

 ..1. Size:495K  silan
 sts65r580ds2tr sts65r580fs2 sts65r580ss2 sts65r580ss2tr sts65r580mjs2.pdf pdf_icon

STS65R580MJS2

STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 8A, 650V MOS 2 STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 N MOSFET MOS 1 1 3 STS65R580D(F)(S)(MJ)S2

 8.1. Size:571K  silan
 sts65r280ds2tr sts65r280fs2.pdf pdf_icon

STS65R580MJS2

STS65R280D(F)S2 14A 650V MOS 2 STS65R280D(F)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R280D(F)S2 / 3

 8.2. Size:553K  silan
 sts65r190fs2 sts65r190l8as2tr sts65r190ts2 sts65r190ss2 sts65r190ss2tr.pdf pdf_icon

STS65R580MJS2

Otros transistores... STS65R190L8AS2TR , STS65R190SS2 , STS65R190SS2TR , STS65R190TS2 , STS65R280DS2TR , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR , STS65R580FS2 , IRF4905 , STS65R580SS2 , STS65R580SS2TR , SVD1055SA , SVD3205STR , SVD540DTR , SVD540F , SVD640DTR , SVD640S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.