SVD3205STR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVD3205STR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 190 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 55 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 67 nC
Tiempo de subida (tr): 110 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 740 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVD3205STR
SVD3205STR Datasheet (PDF)
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SVD3205T(F)(S) 110A55V N 2SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 11 3
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SVD3205T/F/S 110A55V N 2SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 1133 T
svd3205t.pdf
SVD3205T_Datasheet 110A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD3205T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryS-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per
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