SVD3205STR Todos los transistores

 

SVD3205STR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVD3205STR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SVD3205STR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  silan
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SVD3205STR

SVD3205T(F)(S) 110A55V N 2SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 11 3

 6.1. Size:374K  silan
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SVD3205STR

SVD3205T/F/S 110A55V N 2SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 1133 T

 7.1. Size:218K  1
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SVD3205STR

SVD3205T_Datasheet 110A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD3205T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryS-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per

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History: IRFIZ48VPBF

 

 
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