SVD3205STR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVD3205STR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO263

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SVD3205STR datasheet

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SVD3205STR

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SVD3205STR

SVD3205T/F/S 110A 55V N 2 SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 1 1 3 3 T

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SVD3205STR

SVD3205T_Datasheet 110A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD3205T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per

Otros transistores... STS65R280DS2TR, STS65R280FS2, STS65R580DS2TR, STS65R580FS2, STS65R580MJS2, STS65R580SS2, STS65R580SS2TR, SVD1055SA, 13N50, SVD540DTR, SVD540F, SVD640DTR, SVD640S, SVD640STR, SVDP2353PL3A, SVDZ24NDTR, SVF10N60CAFJ