Справочник MOSFET. SVD3205STR

 

SVD3205STR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVD3205STR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVD3205STR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVD3205STR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  silan
 svd3205t svd3205f svd3205s svd3205str.pdf pdf_icon

SVD3205STR

SVD3205T(F)(S) 110A55V N 2SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 11 3

 6.1. Size:374K  silan
 svd3205t svd3205f svd3205s.pdf pdf_icon

SVD3205STR

SVD3205T/F/S 110A55V N 2SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 1133 T

 7.1. Size:218K  1
 svd3205t.pdf pdf_icon

SVD3205STR

SVD3205T_Datasheet 110A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD3205T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryS-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per

Другие MOSFET... STS65R280DS2TR , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR , STS65R580FS2 , STS65R580MJS2 , STS65R580SS2 , STS65R580SS2TR , SVD1055SA , 8205A , SVD540DTR , SVD540F , SVD640DTR , SVD640S , SVD640STR , SVDP2353PL3A , SVDZ24NDTR , SVF10N60CAFJ .

History: SQM85N10-10 | PTP20N65A | IRFPG40 | IRLR3714Z | FQA11N90-F109 | SQM50P04-09L | LNG06R230

 

 
Back to Top

 


 
.