SVD3205STR - описание и поиск аналогов

 

SVD3205STR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVD3205STR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SVD3205STR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVD3205STR даташит

 ..1. Size:329K  silan
 svd3205t svd3205f svd3205s svd3205str.pdf pdf_icon

SVD3205STR

 6.1. Size:374K  silan
 svd3205t svd3205f svd3205s.pdf pdf_icon

SVD3205STR

SVD3205T/F/S 110A 55V N 2 SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 1 1 3 3 T

 7.1. Size:218K  1
 svd3205t.pdf pdf_icon

SVD3205STR

SVD3205T_Datasheet 110A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD3205T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per

Другие MOSFET... STS65R280DS2TR , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR , STS65R580FS2 , STS65R580MJS2 , STS65R580SS2 , STS65R580SS2TR , SVD1055SA , IRFP260 , SVD540DTR , SVD540F , SVD640DTR , SVD640S , SVD640STR , SVDP2353PL3A , SVDZ24NDTR , SVF10N60CAFJ .

History: AO6604

 

 

 

 

↑ Back to Top
.