SVD640DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVD640DTR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SVD640DTR MOSFET
SVD640DTR Datasheet (PDF)
svd640t svd640d svd640dtr svd640s svd640str.pdf
SVD640T/D/S 18A200V N 2SVD640T/D/S N MOS S-RinTM VDMOS .13. 1. 2. 3.
svd640t svd640d svd640f.pdf
SVD640T/D/F 18A200V N SVD640T/D/F N MOS S-RinTM VDMOS AC-DC
Otros transistores... STS65R580FS2 , STS65R580MJS2 , STS65R580SS2 , STS65R580SS2TR , SVD1055SA , SVD3205STR , SVD540DTR , SVD540F , SPP20N60C3 , SVD640S , SVD640STR , SVDP2353PL3A , SVDZ24NDTR , SVF10N60CAFJ , SVF10N60CFJ , SVF10N60STR , SVF10N65CA .
History: B4N60 | AP4036AGM-HF | SRC60R090BS | IPA60R1K5CE | 2N7002ESEGP | MEE15N10-G
History: B4N60 | AP4036AGM-HF | SRC60R090BS | IPA60R1K5CE | 2N7002ESEGP | MEE15N10-G
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492