Справочник MOSFET. SVD640DTR

 

SVD640DTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVD640DTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 41 nC
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVD640DTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  silan
svd640t svd640d svd640dtr svd640s svd640str.pdfpdf_icon

SVD640DTR

SVD640T/D/S 18A200V N 2SVD640T/D/S N MOS S-RinTM VDMOS .13. 1. 2. 3.

 7.1. Size:539K  silan
svd640t svd640d svd640f.pdfpdf_icon

SVD640DTR

SVD640T/D/F 18A200V N SVD640T/D/F N MOS S-RinTM VDMOS AC-DC

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.