SVF10N60STR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF10N60STR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 28.3 nC
Tiempo de subida (tr): 41.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 143 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF10N60STR
SVF10N60STR Datasheet (PDF)
..1. Size:690K silan
svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf
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SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
5.1. Size:301K silan
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf
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SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1
6.1. Size:324K silan
svf10n60cafj.pdf
svf10n60cafj.pdf
SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
6.2. Size:577K silan
svf10n60cfj.pdf
svf10n60cfj.pdf
SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.
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