SVF10N60STR Todos los transistores

 

SVF10N60STR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF10N60STR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SVF10N60STR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  silan
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SVF10N60STR

SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 5.1. Size:301K  silan
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SVF10N60STR

SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1

 6.1. Size:324K  silan
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SVF10N60STR

SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

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 svf10n60cfj.pdf pdf_icon

SVF10N60STR

SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

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History: R6507ENX | BUZ101L | SK860314 | SRC60R090BS | HSCE2530 | STE24NA100 | NTMFS5C612NT1G-TE

 

 
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