SVF10N60STR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF10N60STR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 41.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Encapsulados: TO263
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SVF10N60STR datasheet
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf
SVF10N60T/F/S/K 10A 600V N 2 SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 TO-263-2L 1
svf10n60cafj.pdf
SVF10N60CAFJ 10A 600V N 2 SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.
Otros transistores... SVD540F, SVD640DTR, SVD640S, SVD640STR, SVDP2353PL3A, SVDZ24NDTR, SVF10N60CAFJ, SVF10N60CFJ, IRFB3607, SVF10N65CA, SVF10N65CF, SVF10N65CFJH, SVF10N65CK, SVF10N65K, SVF10N65S, SVF10N65STR, SVF12N60CF
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Liste
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