SVF10N60STR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SVF10N60STR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 41.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVF10N60STR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVF10N60STR даташит
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf
SVF10N60T/F/S/K 10A 600V N 2 SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 TO-263-2L 1
svf10n60cafj.pdf
SVF10N60CAFJ 10A 600V N 2 SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.
Другие MOSFET... SVD540F , SVD640DTR , SVD640S , SVD640STR , SVDP2353PL3A , SVDZ24NDTR , SVF10N60CAFJ , SVF10N60CFJ , IRFB3607 , SVF10N65CA , SVF10N65CF , SVF10N65CFJH , SVF10N65CK , SVF10N65K , SVF10N65S , SVF10N65STR , SVF12N60CF .
History: SSG4394N
History: SSG4394N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a