Справочник MOSFET. SVF10N60STR

 

SVF10N60STR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF10N60STR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVF10N60STR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF10N60STR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  silan
 svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60STR

SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 5.1. Size:301K  silan
 svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60STR

SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1

 6.1. Size:324K  silan
 svf10n60cafj.pdf pdf_icon

SVF10N60STR

SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 6.2. Size:577K  silan
 svf10n60cfj.pdf pdf_icon

SVF10N60STR

SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVD540F , SVD640DTR , SVD640S , SVD640STR , SVDP2353PL3A , SVDZ24NDTR , SVF10N60CAFJ , SVF10N60CFJ , AON7506 , SVF10N65CA , SVF10N65CF , SVF10N65CFJH , SVF10N65CK , SVF10N65K , SVF10N65S , SVF10N65STR , SVF12N60CF .

History: HUF75852G3F085 | FCHD190N65S3R0 | MMIX1F360N15T2 | IXTT20N50D | NCE50NF600I

 

 
Back to Top

 


 
.