Справочник MOSFET. SVF10N60STR

 

SVF10N60STR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF10N60STR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 41.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF10N60STR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  silan
 svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60STR

SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 5.1. Size:301K  silan
 svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf pdf_icon

SVF10N60STR

SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1

 6.1. Size:324K  silan
 svf10n60cafj.pdf pdf_icon

SVF10N60STR

SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 6.2. Size:577K  silan
 svf10n60cfj.pdf pdf_icon

SVF10N60STR

SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WMO25P03TS | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | IRLU2905Z | IRF644NLPBF | FCH099N60E | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.