SVF10N65K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVF10N65K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 29 nC
   Tiempo de subida (tr): 41 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF10N65K

SVF10N65K Datasheet (PDF)

..1. Size:403K silan
svf10n65t svf10n65f svf10n65k svf10n65s svf10n65str.pdf

SVF10N65T/F/K/S 10A650V N 2SVF10N65T/F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

6.1. Size:601K 1
svf10n65f svf10n65t.pdf

SVF10N65T/F_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

6.2. Size:290K silan
svf10n65cfj.pdf

SVF10N65CFJ_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65CFJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand

6.3. Size:361K silan
svf10n65cf svf10n65ck svf10n65cfjh.pdf