SVF13N50STR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF13N50STR
Código: 13N50S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 190 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 49 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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SVF13N50STR Datasheet (PDF)
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SVF13N50T(F)(PN)(S) 13A500V N 2SVF13N50T(F)(PN)(S) N MOS F-CellTM VDMOS 1. 2. 3.1
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SVF13N50T/F/PN 13A500V N SVF13N50T/F/PN N MOS F-CellTM VDMOS
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