SVF13N50STR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF13N50STR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Encapsulados: TO263
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SVF13N50STR datasheet
Otros transistores... SVF12N60CFJ, SVF12N60STR, SVF12N65K, SVF12N65S, SVF12N65STR, SVF13N50AF, SVF13N50CFJ, SVF13N50S, RFP50N06, SVF14N25CD, SVF18N65EFJH, SVF18NE50PN, SVF20N50F, SVF20N50PN, SVF20NE50PN, SVF25NE50PN, SVF2N60RDTR
History: AO4932
🌐 : EN ES РУ
Liste
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