SVF13N50STR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF13N50STR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SVF13N50STR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF13N50STR даташит

 ..1. Size:414K  silan
 svf13n50f svf13n50t svf13n50pn svf13n50s svf13n50str.pdf pdf_icon

SVF13N50STR

 6.1. Size:447K  silan
 svf13n50t svf13n50f svf13n50pn.pdf pdf_icon

SVF13N50STR

 6.2. Size:321K  silan
 svf13n50cfj.pdf pdf_icon

SVF13N50STR

 6.3. Size:296K  silan
 svf13n50af.pdf pdf_icon

SVF13N50STR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF12N60CFJ, SVF12N60STR, SVF12N65K, SVF12N65S, SVF12N65STR, SVF13N50AF, SVF13N50CFJ, SVF13N50S, RFP50N06, SVF14N25CD, SVF18N65EFJH, SVF18NE50PN, SVF20N50F, SVF20N50PN, SVF20NE50PN, SVF25NE50PN, SVF2N60RDTR