Справочник MOSFET. SVF13N50STR

 

SVF13N50STR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF13N50STR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVF13N50STR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF13N50STR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  silan
 svf13n50f svf13n50t svf13n50pn svf13n50s svf13n50str.pdf pdf_icon

SVF13N50STR

SVF13N50T(F)(PN)(S) 13A500V N 2SVF13N50T(F)(PN)(S) N MOS F-CellTM VDMOS 1. 2. 3.1

 6.1. Size:447K  silan
 svf13n50t svf13n50f svf13n50pn.pdf pdf_icon

SVF13N50STR

SVF13N50T/F/PN 13A500V N SVF13N50T/F/PN N MOS F-CellTM VDMOS

 6.2. Size:321K  silan
 svf13n50cfj.pdf pdf_icon

SVF13N50STR

SVF13N50CFJ 13A500V N 2SVF13N50CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.3. Size:296K  silan
 svf13n50af.pdf pdf_icon

SVF13N50STR

SVF13N50AF 13A500V N 2SVF13N50AF N MOS F-CellTM VDMOS 13 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF12N60CFJ , SVF12N60STR , SVF12N65K , SVF12N65S , SVF12N65STR , SVF13N50AF , SVF13N50CFJ , SVF13N50S , SKD502T , SVF14N25CD , SVF18N65EFJH , SVF18NE50PN , SVF20N50F , SVF20N50PN , SVF20NE50PN , SVF25NE50PN , SVF2N60RDTR .

History: HFS2N60 | 2P922A | 2N65G-TMA-T | NP48N055DHE | IXFN44N80P | STT4PF20V | HAF1003L

 

 
Back to Top

 


 
.