SVF13N50STR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF13N50STR
Маркировка: 13N50S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 49 ns
Выходная емкость (Cd): 170 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.52 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVF13N50STR
SVF13N50STR Datasheet (PDF)
..1. Size:414K silan
svf13n50f svf13n50t svf13n50pn svf13n50s svf13n50str.pdf
svf13n50f svf13n50t svf13n50pn svf13n50s svf13n50str.pdf
SVF13N50T(F)(PN)(S) 13A500V N 2SVF13N50T(F)(PN)(S) N MOS F-CellTM VDMOS 1. 2. 3.1
6.1. Size:447K silan
svf13n50t svf13n50f svf13n50pn.pdf
svf13n50t svf13n50f svf13n50pn.pdf
SVF13N50T/F/PN 13A500V N SVF13N50T/F/PN N MOS F-CellTM VDMOS
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
