SVF14N25CD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF14N25CD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 133 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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SVF14N25CD Datasheet (PDF)
Otros transistores... SVF12N60STR , SVF12N65K , SVF12N65S , SVF12N65STR , SVF13N50AF , SVF13N50CFJ , SVF13N50S , SVF13N50STR , IRFZ46N , SVF18N65EFJH , SVF18NE50PN , SVF20N50F , SVF20N50PN , SVF20NE50PN , SVF25NE50PN , SVF2N60RDTR , SVF31N30CS .
History: SI7748DP | IRF7904PBF | CSD17527Q5A | 2SK1607 | CS5N65FA9R | FQD2N50TM | AON7522E
History: SI7748DP | IRF7904PBF | CSD17527Q5A | 2SK1607 | CS5N65FA9R | FQD2N50TM | AON7522E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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