SVF14N25CD Todos los transistores

 

SVF14N25CD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF14N25CD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 133 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF14N25CD

 

SVF14N25CD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  silan
svf14n25cd.pdf

SVF14N25CD
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SVF14N25CD 14A250V N 2SVF14N25CD N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2.

 8.1. Size:553K  silan
svf14n65cfj.pdf

SVF14N25CD
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SVF14N65CFJ 14A650V N SVF14N65CFJ N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

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