SVF14N25CD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF14N25CD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 133 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SVF14N25CD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF14N25CD даташит

 ..1. Size:379K  silan
 svf14n25cd.pdf pdf_icon

SVF14N25CD

 8.1. Size:553K  silan
 svf14n65cfj.pdf pdf_icon

SVF14N25CD

Другие IGBT... SVF12N60STR, SVF12N65K, SVF12N65S, SVF12N65STR, SVF13N50AF, SVF13N50CFJ, SVF13N50S, SVF13N50STR, SI2302, SVF18N65EFJH, SVF18NE50PN, SVF20N50F, SVF20N50PN, SVF20NE50PN, SVF25NE50PN, SVF2N60RDTR, SVF31N30CS