SVF18N65EFJH MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF18N65EFJH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF18N65EFJH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 238 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: TO220F

Búsqueda de reemplazo de SVF18N65EFJH MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:452K silan
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6.1. Size:634K silan
svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdf pdf_icon

SVF18N65F/T/PN 18A 650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

SVF18N50F/T/PN/FJ 18A 500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

8.2. Size:313K silan
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SVF18NE50PN 18A 500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

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