SVF18N65EFJH datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVF18N65EFJH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF18N65EFJH 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 238 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO220F

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVF18N65EFJH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:452K silan
svf18n65efjh.pdf pdf_icon

6.1. Size:634K silan
svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdf pdf_icon

SVF18N65F/T/PN 18A 650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

SVF18N50F/T/PN/FJ 18A 500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

8.2. Size:313K silan
svf18ne50pn.pdf pdf_icon

SVF18NE50PN 18A 500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.