Справочник MOSFET. SVF18N65EFJH

 

SVF18N65EFJH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVF18N65EFJH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 238 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SVF18N65EFJH

 

 

SVF18N65EFJH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  silan
 svf18n65efjh.pdf

SVF18N65EFJH SVF18N65EFJH

SVF18N65EFJH 18A, 650V N 2SVF18N65EFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.1. Size:634K  silan
 svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdf

SVF18N65EFJH SVF18N65EFJH

SVF18N65F/T/PN 18A650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 8.1. Size:663K  silan
 svf18n50f svf18n50t svf18n50pn svf18n50fj.pdf

SVF18N65EFJH SVF18N65EFJH

SVF18N50F/T/PN/FJ 18A500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

 8.2. Size:313K  silan
 svf18ne50pn.pdf

SVF18N65EFJH SVF18N65EFJH

SVF18NE50PN 18A500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

 8.3. Size:476K  silan
 svf18n50f svf18n50t svf18n50pn.pdf

SVF18N65EFJH SVF18N65EFJH

SVF18N50F/T/PN 18A500V N 2SVF18N50F/T/PN NMOSF-CellTMVDMOS 1 3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RJK0223DNS

 

 
Back to Top