SVF18N65EFJH - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVF18N65EFJH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVF18N65EFJH
   Маркировка: 18N65EFJH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
   Время нарастания (tr): 62 ns
   Выходная емкость (Cd): 238 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVF18N65EFJH