SVF18NE50PN Todos los transistores

 

SVF18NE50PN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF18NE50PN
   Código: 18NE50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 240 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44.51 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60.52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF18NE50PN

 

SVF18NE50PN Datasheet (PDF)

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SVF18NE50PN 18A500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

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SVF18N50F/T/PN/FJ 18A500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

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SVF18N65EFJH 18A, 650V N 2SVF18N65EFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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SVF18N65F/T/PN 18A650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

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SVF18NE50PN
SVF18NE50PN

SVF18N50F/T/PN 18A500V N 2SVF18N50F/T/PN NMOSF-CellTMVDMOS 1 3

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