SVF18NE50PN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF18NE50PN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60.52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SVF18NE50PN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF18NE50PN даташит

 ..1. Size:313K  silan
 svf18ne50pn.pdf pdf_icon

SVF18NE50PN

SVF18NE50PN 18A 500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

 8.1. Size:663K  silan
 svf18n50f svf18n50t svf18n50pn svf18n50fj.pdf pdf_icon

SVF18NE50PN

SVF18N50F/T/PN/FJ 18A 500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

 8.2. Size:452K  silan
 svf18n65efjh.pdf pdf_icon

SVF18NE50PN

 8.3. Size:634K  silan
 svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdf pdf_icon

SVF18NE50PN

SVF18N65F/T/PN 18A 650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF12N65S, SVF12N65STR, SVF13N50AF, SVF13N50CFJ, SVF13N50S, SVF13N50STR, SVF14N25CD, SVF18N65EFJH, 18N50, SVF20N50F, SVF20N50PN, SVF20NE50PN, SVF25NE50PN, SVF2N60RDTR, SVF31N30CS, SVF31N30CSTR, SVF3878AP7