SVF18NE50PN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF18NE50PN
Маркировка: 18NE50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 44.51 nC
Время нарастания (tr): 60.52 ns
Выходная емкость (Cd): 280.2 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.31 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для SVF18NE50PN
SVF18NE50PN Datasheet (PDF)
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn svf18n50fj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF18N50F/T/PN/FJ 18A500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS
svf18n65efjh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF18N65EFJH 18A, 650V N 2SVF18N65EFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF18N65F/T/PN 18A650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF18N50F/T/PN 18A500V N 2SVF18N50F/T/PN NMOSF-CellTMVDMOS 1 3
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .