Справочник MOSFET. SVF18NE50PN

 

SVF18NE50PN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVF18NE50PN
   Маркировка: 18NE50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44.51 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60.52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для SVF18NE50PN

 

 

SVF18NE50PN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  silan
svf18ne50pn.pdf

SVF18NE50PN
SVF18NE50PN

SVF18NE50PN 18A500V N 2. SVF18NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

 8.1. Size:663K  silan
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn svf18n50fj.pdf

SVF18NE50PN
SVF18NE50PN

SVF18N50F/T/PN/FJ 18A500V N SVF18N50F/T/PN/FJ N MOS F-CellTM VDMOS

 8.2. Size:452K  silan
svf18n65efjh.pdf

SVF18NE50PN
SVF18NE50PN

SVF18N65EFJH 18A, 650V N 2SVF18N65EFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 8.3. Size:634K  silan
svf18n65f svf18n65t svf18n65pn.pdf

SVF18NE50PN
SVF18NE50PN

SVF18N65F/T/PN 18A650V N SVF18N65F/T/PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 8.4. Size:476K  silan
svf18n50f svf18n50t svf18n50pn.pdf

SVF18NE50PN
SVF18NE50PN

SVF18N50F/T/PN 18A500V N 2SVF18N50F/T/PN NMOSF-CellTMVDMOS 1 3

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top