SVF20N50F MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SVF20N50F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF20N50F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 47.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: TO220F

Búsqueda de reemplazo de SVF20N50F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:346K silan
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SVF20N50F/PN 20A 500V N 2 SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

8.1. Size:328K silan
svf20n60f.pdf pdf_icon

SVF20N60F 20A 600V N 2 SVF20N60F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1

8.2. Size:311K silan
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8.3. Size:419K silan
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SVF20N60F/PN 20A 600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS