SVF20N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF20N50F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 72 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 49.5 nC
Tiempo de subida (tr): 47.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 355 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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SVF20N50F Datasheet (PDF)
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SVF20N50F/PN 20A500V N 2SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 13
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SVF20N60F/PN 20A600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS
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