SVF20NE50PN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF20NE50PN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 252 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150.67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de SVF20NE50PN MOSFET
SVF20NE50PN PDF Specs
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SVF20N50F/PN 20A 500V N 2 SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 ... See More ⇒
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SVF20N60F/PN 20A 600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS ... See More ⇒
Otros transistores... SVF13N50CFJ , SVF13N50S , SVF13N50STR , SVF14N25CD , SVF18N65EFJH , SVF18NE50PN , SVF20N50F , SVF20N50PN , IRF2807 , SVF25NE50PN , SVF2N60RDTR , SVF31N30CS , SVF31N30CSTR , SVF3878AP7 , SVF3878P7 , SVF3N65VFJ , SVF4N150F .
Liste
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