SVF20NE50PN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF20NE50PN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 252 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 150.67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF20NE50PN
SVF20NE50PN Datasheet (PDF)
svf20n50f svf20n50pn.pdf
SVF20N50F/PN 20A500V N 2SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 13
svf20n60f svf20n60pn.pdf
SVF20N60F/PN 20A600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS
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History: JFPC8N65C | IRF5305 | IRFP150M | P1603BEBA | FQI46N15 | HQB7N65C | 40600
History: JFPC8N65C | IRF5305 | IRFP150M | P1603BEBA | FQI46N15 | HQB7N65C | 40600
Liste
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