SVF20NE50PN Todos los transistores

 

SVF20NE50PN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF20NE50PN
   Código: 20NE50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 252 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 58.38 nC
   Tiempo de subida (tr): 150.67 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 425 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

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SVF20NE50PN Datasheet (PDF)

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SVF20NE50PN 20A500V N 2. SVF20NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

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SVF20N50F/PN 20A500V N 2SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 13

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SVF20N60F 20A600V N 2SVF20N60F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1

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SVF20N60F/PN 20A600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS

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