SVF20NE50PN datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVF20NE50PN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF20NE50PN 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 252 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 150.67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO3P

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVF20NE50PN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:311K silan
svf20ne50pn.pdf pdf_icon

8.1. Size:346K silan
svf20n50f svf20n50pn.pdf pdf_icon

SVF20N50F/PN 20A 500V N 2 SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

8.2. Size:328K silan
svf20n60f.pdf pdf_icon

SVF20N60F 20A 600V N 2 SVF20N60F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1

8.3. Size:419K silan
svf20n60f svf20n60pn.pdf pdf_icon

SVF20N60F/PN 20A 600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS