SVF20NE50PN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF20NE50PN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 252 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 150.67 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для SVF20NE50PN
SVF20NE50PN Datasheet (PDF)
8.1. Size:346K silan
svf20n50f svf20n50pn.pdf
svf20n50f svf20n50pn.pdf
SVF20N50F/PN 20A500V N 2SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 13
8.3. Size:419K silan
svf20n60f svf20n60pn.pdf
svf20n60f svf20n60pn.pdf
SVF20N60F/PN 20A600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IRF5305 | 40600 | HPM3401A | 2N6659 | HPM2305 | HQB7N65C
History: IRF5305 | 40600 | HPM3401A | 2N6659 | HPM2305 | HQB7N65C
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD