SVF20NE50PN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF20NE50PN
Маркировка: 20NE50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 252 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 58.38 nC
Время нарастания (tr): 150.67 ns
Выходная емкость (Cd): 425 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для SVF20NE50PN
SVF20NE50PN Datasheet (PDF)
8.1. Size:346K silan
svf20n50f svf20n50pn.pdf
svf20n50f svf20n50pn.pdf
SVF20N50F/PN 20A500V N 2SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 13
8.3. Size:419K silan
svf20n60f svf20n60pn.pdf
svf20n60f svf20n60pn.pdf
SVF20N60F/PN 20A600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .