Справочник MOSFET. SVF20NE50PN

 

SVF20NE50PN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF20NE50PN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 252 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150.67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SVF20NE50PN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF20NE50PN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:311K  silan
 svf20ne50pn.pdf pdf_icon

SVF20NE50PN

SVF20NE50PN 20A500V N 2. SVF20NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

 8.1. Size:346K  silan
 svf20n50f svf20n50pn.pdf pdf_icon

SVF20NE50PN

SVF20N50F/PN 20A500V N 2SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 13

 8.2. Size:328K  silan
 svf20n60f.pdf pdf_icon

SVF20NE50PN

SVF20N60F 20A600V N 2SVF20N60F N MOS F-CellTM VDMOS 13 1

 8.3. Size:419K  silan
 svf20n60f svf20n60pn.pdf pdf_icon

SVF20NE50PN

SVF20N60F/PN 20A600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF13N50CFJ , SVF13N50S , SVF13N50STR , SVF14N25CD , SVF18N65EFJH , SVF18NE50PN , SVF20N50F , SVF20N50PN , IRFB31N20D , SVF25NE50PN , SVF2N60RDTR , SVF31N30CS , SVF31N30CSTR , SVF3878AP7 , SVF3878P7 , SVF3N65VFJ , SVF4N150F .

History: VBM17R10 | NCE60H15AD | IXTQ26N50P | CS7N70F | STN442D | IPU95R450P7

 

 
Back to Top

 


 
.