SVF20NE50PN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SVF20NE50PN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 252 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150.67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам