SVF20NE50PN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF20NE50PN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 252 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 150.67 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для SVF20NE50PN
SVF20NE50PN Datasheet (PDF)
8.1. Size:346K silan
svf20n50f svf20n50pn.pdf
svf20n50f svf20n50pn.pdf
SVF20N50F/PN 20A500V N 2SVF20N50F/PN N MOS F-CellTM VDMOS 13
8.3. Size:419K silan
svf20n60f svf20n60pn.pdf
svf20n60f svf20n60pn.pdf
SVF20N60F/PN 20A600V N SVF20N60F/PN N MOS F-CellTM VDMOS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918