SVF25NE50PN Todos los transistores

 

SVF25NE50PN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF25NE50PN
   Código: 25NE50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 260 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 51.83 nC
   Tiempo de subida (tr): 76.1 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 413 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

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SVF25NE50PN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  silan
svf25ne50pn.pdf

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SVF25NE50PN 25A500V N 2. SVF25NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

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