SVF25NE50PN Todos los transistores

 

SVF25NE50PN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF25NE50PN
   Código: 25NE50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 51.83 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 76.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 413 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

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SVF25NE50PN Datasheet (PDF)

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SVF25NE50PN
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SVF25NE50PN 25A500V N 2. SVF25NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

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