Справочник MOSFET. SVF25NE50PN

 

SVF25NE50PN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF25NE50PN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 413 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SVF25NE50PN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF25NE50PN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  silan
svf25ne50pn.pdfpdf_icon

SVF25NE50PN

SVF25NE50PN 25A500V N 2. SVF25NE50PN N MOS F-CellTM VDMOS 1.

Другие MOSFET... SVF13N50S , SVF13N50STR , SVF14N25CD , SVF18N65EFJH , SVF18NE50PN , SVF20N50F , SVF20N50PN , SVF20NE50PN , IRF2807 , SVF2N60RDTR , SVF31N30CS , SVF31N30CSTR , SVF3878AP7 , SVF3878P7 , SVF3N65VFJ , SVF4N150F , SVF4N150P7 .

 

 
Back to Top

 


 
.