SVF2N60RDTR Todos los transistores

 

SVF2N60RDTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF2N60RDTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF2N60RDTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:401K  silan
 svf2n60rdtr svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N60RDTR

SVF2N60RD/M/MJ 2A600V N 2SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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SVF2N60RDTR

SVF2N60RD/M/MJ 2A600V N 2SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1133

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 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60RDTR

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

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 svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

SVF2N60RDTR

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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History: FQA28N15 | OSG80R900FF | AP9563GK | HM4612 | P9515BD | IRFSL31N20DP | AOTF7N70

 

 
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