Справочник MOSFET. SVF2N60RDTR

 

SVF2N60RDTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF2N60RDTR
   Маркировка: 2N60RD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF2N60RDTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:401K  silan
 svf2n60rdtr svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N60RDTR

SVF2N60RD/M/MJ 2A600V N 2SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 5.1. Size:614K  silan
 svf2n60rd svf2n60rm svf2n60rmj.pdf pdf_icon

SVF2N60RDTR

SVF2N60RD/M/MJ 2A600V N 2SVF2N60RD/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1133

 7.1. Size:692K  silan
 svf2n60m svf2n60mj svf2n60nf svf2n60f svf2n60d.pdf pdf_icon

SVF2N60RDTR

SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) 2A600V N 2SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D) N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 3TO-126F-3L

 7.2. Size:362K  silan
 svf2n60nf svf2n60f.pdf pdf_icon

SVF2N60RDTR

SVF2N60NF(F) 2A600V N 2SVF2N60NF(F) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.