SVF31N30CSTR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF31N30CSTR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 284 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 346 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SVF31N30CSTR MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SVF31N30CSTR datasheet

 ..1. Size:473K  silan
svf31n30cs svf31n30cstr.pdf pdf_icon

SVF31N30CSTR

Otros transistores... SVF18N65EFJH, SVF18NE50PN, SVF20N50F, SVF20N50PN, SVF20NE50PN, SVF25NE50PN, SVF2N60RDTR, SVF31N30CS, 8N60, SVF3878AP7, SVF3878P7, SVF3N65VFJ, SVF4N150F, SVF4N150P7, SVF4N150PF, SVF4N60CADTR, SVF4N60CAFJ