SVF31N30CSTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF31N30CSTR
Código: 31N30C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 284 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 53 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 346 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
SVF31N30CSTR Datasheet (PDF)
svf31n30cs svf31n30cstr.pdf

SVF31N30CS 31A, 300V N 2SVF31N30CS N MOS F-CellTM VDMOS 13
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: SI9933CDY | NCE0224D | CSI460 | BLM9435 | STB85NF3LLT4 | FQI9N08TU | JFPC5N65C
History: SI9933CDY | NCE0224D | CSI460 | BLM9435 | STB85NF3LLT4 | FQI9N08TU | JFPC5N65C



Liste
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