SVF31N30CSTR Todos los transistores

 

SVF31N30CSTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF31N30CSTR
   Código: 31N30C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 284 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 53 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 346 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF31N30CSTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  silan
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SVF31N30CSTR

SVF31N30CS 31A, 300V N 2SVF31N30CS N MOS F-CellTM VDMOS 13

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SI9933CDY | NCE0224D | CSI460 | BLM9435 | STB85NF3LLT4 | FQI9N08TU | JFPC5N65C

 

 
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