SVF31N30CSTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF31N30CSTR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 284 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 346 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SVF31N30CSTR MOSFET
SVF31N30CSTR Datasheet (PDF)
svf31n30cs svf31n30cstr.pdf

SVF31N30CS 31A, 300V N 2SVF31N30CS N MOS F-CellTM VDMOS 13
Otros transistores... SVF18N65EFJH , SVF18NE50PN , SVF20N50F , SVF20N50PN , SVF20NE50PN , SVF25NE50PN , SVF2N60RDTR , SVF31N30CS , K2611 , SVF3878AP7 , SVF3878P7 , SVF3N65VFJ , SVF4N150F , SVF4N150P7 , SVF4N150PF , SVF4N60CADTR , SVF4N60CAFJ .
History: SWF10N65D | NTMS4873NFR2G
History: SWF10N65D | NTMS4873NFR2G



Liste
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