SVF31N30CSTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF31N30CSTR
Маркировка: 31N30C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 284 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
trⓘ - Время нарастания: 77 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 346 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVF31N30CSTR
SVF31N30CSTR Datasheet (PDF)
..1. Size:473K silan
svf31n30cs svf31n30cstr.pdf
svf31n30cs svf31n30cstr.pdf
SVF31N30CS 31A, 300V N 2SVF31N30CS N MOS F-CellTM VDMOS 13
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD