SVF4N70DTR Todos los transistores

 

SVF4N70DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF4N70DTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56.43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF4N70DTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  silan
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SVF4N70DTR

SVF4N70F/D 4A700V N 2SVF4N70F/D N MOS F-CellTM VDMOS 13

 7.1. Size:306K  silan
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SVF4N70DTR

SVF4N70MJ 4A700V N 2SVF4N70MJ N MOS F-CellTM VDMOS 13

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SVF4N70DTR

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

 9.2. Size:800K  silan
 svf4n60d svf4n60f svf4n60t svf4n60m.pdf pdf_icon

SVF4N70DTR

SVF4N60D/F/T/M 4A600V N SVF4N60D/F/T/M N MOS F-CellTM VDMOS

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History: HUFA76423S3ST | P06P03LDG | FDP52N20 | HM12N20D | NCE65TF099F

 

 
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