SVF6N60DTR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF6N60DTR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42.67 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO252

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SVF6N60DTR datasheet

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SVF6N60DTR

SVF6N60F/D/FQ 6A 600V N 2 SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 TO-252-2L 3

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SVF6N60MJ/F/D_Datasheet 6A 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF6N60MJ/F/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior swit

 9.1. Size:344K  silan
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