SVF6N60DTR Todos los transistores

 

SVF6N60DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF6N60DTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42.67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SVF6N60DTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  silan
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SVF6N60DTR

SVF6N60F/D/FQ 6A600V N 2SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 11 3 TO-252-2L3

 6.1. Size:547K  silan
 svf6n60mj svf6n60f svf6n60d.pdf pdf_icon

SVF6N60DTR

SVF6N60MJ/F/D_Datasheet 6A 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF6N60MJ/F/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior swit

 9.1. Size:344K  silan
 svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf pdf_icon

SVF6N60DTR

SVF6N80D(K) 6A800V N 2SVF6N80D(K)(MJ) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.2. Size:316K  silan
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SVF6N60DTR

SVF6N70F 6A700V N 2SVF6N70F N MOS F-CellTM VDMOS 13

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History: 2SK2874-01L | BUK7Y12-100E | 2SK3033 | IRFP21N60L | 2SK2848 | APM4317K

 

 
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