SVF6N60DTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF6N60DTR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42.67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVF6N60DTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF6N60DTR даташит

 ..1. Size:452K  silan
 svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf pdf_icon

SVF6N60DTR

SVF6N60F/D/FQ 6A 600V N 2 SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 TO-252-2L 3

 6.1. Size:547K  silan
 svf6n60mj svf6n60f svf6n60d.pdf pdf_icon

SVF6N60DTR

SVF6N60MJ/F/D_Datasheet 6A 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF6N60MJ/F/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior swit

 9.1. Size:344K  silan
 svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf pdf_icon

SVF6N60DTR

 9.2. Size:316K  silan
 svf6n70f.pdf pdf_icon

SVF6N60DTR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF4N65MJ, SVF4N65RDTR, SVF4N70DTR, SVF4N70F, SVF4N70MJ, SVF5N60DTR, SVF5N65DTR, SVF6N25CD, AO4468, SVF6N60FQ, SVF6N70DTR, SVF6N70K, SVF6N70MJG, SVF6N70MN, SVF6N80DTR, SVF6N80K, SVF6N80MJ