SVF6N80DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF6N80DTR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 132 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 71 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF6N80DTR
SVF6N80DTR Datasheet (PDF)
svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf
SVF6N80D(K) 6A800V N 2SVF6N80D(K)(MJ) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf
SVF6N60F/D/FQ 6A600V N 2SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 11 3 TO-252-2L3
svf6n60mj svf6n60f svf6n60d.pdf
SVF6N60MJ/F/D_Datasheet 6A 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF6N60MJ/F/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior swit
svf6n70mjg svf6n70dtr svf6n70k svf6n70mn.pdf
SVF6N70MJG/D/K/N 6A700V N 2SVF6N70MJG/D/K/N N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1.
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .