SVF6N80DTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVF6N80DTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVF6N80DTR Datasheet (PDF)
svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf

SVF6N80D(K) 6A800V N 2SVF6N80D(K)(MJ) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf

SVF6N60F/D/FQ 6A600V N 2SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 11 3 TO-252-2L3
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: 2SK2718 | BRD5N65 | NDT6N70 | MTY30N50E | SSPS7334N | IPD50R280CE | CS540
History: 2SK2718 | BRD5N65 | NDT6N70 | MTY30N50E | SSPS7334N | IPD50R280CE | CS540



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695