SVF6N80K Todos los transistores

 

SVF6N80K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF6N80K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF6N80K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:344K  silan
 svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf pdf_icon

SVF6N80K

SVF6N80D(K) 6A800V N 2SVF6N80D(K)(MJ) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.1. Size:452K  silan
 svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf pdf_icon

SVF6N80K

SVF6N60F/D/FQ 6A600V N 2SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 11 3 TO-252-2L3

 9.2. Size:316K  silan
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SVF6N80K

SVF6N70F 6A700V N 2SVF6N70F N MOS F-CellTM VDMOS 13

 9.3. Size:488K  silan
 svf6n25cd.pdf pdf_icon

SVF6N80K

SVF6N25CD 6A, 250V N 2SVF6N25CD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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History: IXTU2N80P | MEE7816AS-G | SVSP14N60TD2

 

 
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