SVF6N80K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVF6N80K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для SVF6N80K
SVF6N80K Datasheet (PDF)
svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf

SVF6N80D(K) 6A800V N 2SVF6N80D(K)(MJ) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf

SVF6N60F/D/FQ 6A600V N 2SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 11 3 TO-252-2L3
Другие MOSFET... SVF6N25CD , SVF6N60DTR , SVF6N60FQ , SVF6N70DTR , SVF6N70K , SVF6N70MJG , SVF6N70MN , SVF6N80DTR , IRF540 , SVF6N80MJ , SVF740CT , SVF7N60CDTR , SVF7N60CSTR , SVF7N65CDTR , SVF7N65CFJH , SVF7N65CMJL , SVF7N65STR .
History: 25N10L-TF3-T | LNB4N80 | IPSA70R1K2P7S | KHB6D0N40P | EFC4615R | IPS80R750P7 | SWD4N60DA
History: 25N10L-TF3-T | LNB4N80 | IPSA70R1K2P7S | KHB6D0N40P | EFC4615R | IPS80R750P7 | SWD4N60DA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor