SVF7N80FD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF7N80FD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: TO220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SVF7N80FD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SVF7N80FD datasheet

 ..1. Size:392K  silan
 svf7n80t svf7n80f svf7n80kl svf7n80k svf7n80fd.pdf pdf_icon

SVF7N80FD

 6.1. Size:520K  silan
 svf7n80t svf7n80f.pdf pdf_icon

SVF7N80FD

SVF7N80T/F 7A 800V N 2 SVF7N80T/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 AC-DC

 9.1. Size:407K  silan
 svf7n65f svf7n65s svf7n65str svf7n65t.pdf pdf_icon

SVF7N80FD

 9.2. Size:512K  silan
 svf7n60f svf7n60s svf7n60d.pdf pdf_icon

SVF7N80FD

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SVF6N80MJ, SVF740CT, SVF7N60CDTR, SVF7N60CSTR, SVF7N65CDTR, SVF7N65CFJH, SVF7N65CMJL, SVF7N65STR, IRF640N, SVF7N80K, SVF7N80KL, SVF8N65RDTR, SVF8N65RMJ, SVF8N70F, SVF8N70FJH, SVF8N70K, SVF8NN70FJ