SVF7N80FD datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVF7N80FD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF7N80FD 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO220F

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVF7N80FD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

6.1. Size:520K silan
svf7n80t svf7n80f.pdf pdf_icon

SVF7N80T/F 7A 800V N 2 SVF7N80T/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 AC-DC

9.1. Size:407K silan
svf7n65f svf7n65s svf7n65str svf7n65t.pdf pdf_icon

9.2. Size:512K silan
svf7n60f svf7n60s svf7n60d.pdf pdf_icon